SI1404BDH-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI1404BDH-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SC-70-6 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 238mOhm @ 1.9A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.32W (Ta), 2.28W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.9A (Ta), 2.37A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI1404 |
SI1404BDH-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI1404BDH-T1-E3 PDF - EN.pdf |
SI1403DL VISHAY
SI1404DH-T1 VISHAY
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
MOSFET P-CH 8V 1.6A SOT363
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
VISHAY SC70-6
VISHAY SC70-6
SI1403DL-T1 VISHAY
SI1404DH-T1-E3 VISHAY
SI1403DL-T1-GE3 VISHAY
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
MOSFET P-CH 20V 2.1A SC70-6
Si1405BDH Vishay
MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70
SI1404DL-T1-GE3 V
SI1404DH-T1-GE3 V
MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
VBSEMI SC70-6
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
SI1403DL-T1-E3 VISHAY
2024/06/5
2024/08/25
2024/06/4
2024/04/4
SI1404BDH-T1-E3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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